Eigenschaften
Anzahl Elements per Chip 1
Channel Mode Verbesserung
Channel Typ N
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Einfach, Vierfach-Drain, Dreifach-Source
Maximum Betriebstemperatur 150°C
Maximum Continuous Drain Strom 18A
Maximum Drain Source Spannung 30V
Maximum Drain Source Widerstand 0.0042Ω
Maximum Gate Source Spannung ±20V
Minimum Operating Temperatur -55°C
Mounting SMD
Product Height 1.5
Product Length 5
Product Width 3.99
Supplier Package SOIC N
Typische Fall Time 21ns
Typische Rise Time 48ns
Typische Turn-Off Delay Time 60ns
Typische Turn-On Delay Time 9ns




    Preis: 2.95 €
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