Eigenschaften Abmessungen 9.28 x 10.28 x 4.82mm Anzahl der Elemente pro Chip 1 Arbeitsfrequenz max. 30 MHz Basis-Emitter Spannung max. 5 V Betriebstemperatur max. +150 °C Betriebstemperatur min. -65 °C DC Kollektorstrom max. 4 A Gehäusegröße TO-220AB Gleichstromverstärkung min. 10 V Höhe 9.28mm Kategorie Bipolar Power Kollektor-Basis-Spannung max. 350 V Kollektor-Emitter- 350 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 0.5 V Konfiguration Single Dual Collector Länge 10.28mm Montage-Typ Durchsteckmontage Pinanzahl 3 Transistor-Typ NPN Verlustleistung max. 2000 mW