Eigenschaften Anzahl Elements per Chip 1 Channel Mode Verbesserung Channel Typ N Kategorie Leistungs-MOSFET Konfiguration Einfach Maximum Betriebstemperatur 150°C Maximum Continuous Drain Strom 4A Maximum Drain Source Spannung 900V Maximum Drain Source Widerstand 4.2Ω Maximum Gate Source Spannung ±30V Minimum Operating Temperatur -55°C Mounting Durchsteckmontage Supplier Package TO-220F Typische Fall Time 35ns Typische Rise Time 50ns Typische Turn-Off Delay Time 40ns Typische Turn-On Delay Time 25ns