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FDA18N50 N-CH 500V 19A 239W TO3P 0,265R (16967)
Ersatz für AV218N50, FQA18N50
Eigenschaften
Abmessungen 15.8 x 5 x 18.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 '°C
Betriebstemperatur min. -55 '°C
Breite 5mm
Channel Mode Enhancement
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 19A
Drain-Source-Spannung max. 500V
Drain-Source-Widerstand max. 0,265 Ω
Eingangskapazität typ. @ Vds 2200pF V @ 25
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 Öffner V @ 10
Gate-Source Spannung max. ±30V
Gehäusegröße TO-3P
Höhe 18.9mm
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Single
Länge 15.8mm
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Typical Turn-Off Delay Time 95ns
Typical Turn-On Delay Time 55ns
Verlustleistung max. 239W




    Preis: 5.95 €
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