Transistor-Typ N-MOSFET Technologie SuperMeshâ„¢ Polarisierung unipolar Drain-Source Spannung 800V Drainstrom 3A Leistung 25W Gehäuse TO220FP Gate-Source Spannung ±30V Widerstand im Leitungszustand 3500mΩ Montage THT Eigenschaften von Halbleiterelementen ESD protected gate Preis: 3.95 € inkl. MwSt. zzgl Versandkosten Anzahl: