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57 Artikel gefunden
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IRL81A Infrarot-Diode 880nm (15110)
Eigenschaften Anzahl LEDs 1 Funktion LED Gehäuse 3 mm Kategorie IR-LED Maximum Betriebstemperatur 100°C Maximum Durchlassspannung per Farbe 1.5V Maximum Durchlassstrom 100mA Minimum Betriebstemperatur -40°C Montage Durchsteckmontage Pin-Anzahl 2 Produktbreite 4mm Produkthöhe 5.2mm Produktlänge 4mm Sichtwinkel 50° Sperrspannung 5V Spitzenwellenlänge 880nm Typ IR-LED
Artikelpreis: 0.89 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF510 N-Ch. 4A 100V 43W 0,54R TO220 (20406)
Transistor-Typ N-MOSFET Drain-Source Spannung 100V Drainstrom 4A Verlustleistung 43W Gehäuse TO220AB Gate-Source Spannung ±20V Widerstand im Leitungszustand 0.54? Montage THT
Artikelpreis: 1.50 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF530 N-Ch. 14A 100V 80W 0,16R TO220 (18044)
Eigenschaften Abmessungen 10.41 x 4.7 x 9.01mm Anzahl der Elemente pro Chip 1 Betriebstemperatur max. +175 °C Betriebstemperatur min. -55 °C Channel Mode Enhancement Channel-Typ N Dauer-Drainstrom max. 14 A Drain-Source-Spannung max. 100 V Drain-Source-Widerstand max. 0.16 Ω Eingangskapazität typ. @ Vds 670 pF @ 25 V Gate-Ladung typ. @ Vgs 26 nC @ 10 V Gate-Source Spannung max. ±20 V Gehäusegröße TO-220AB Kategorie Leistungs-MOSFET Konfiguration Single Montage-Typ Durchsteckmontage Typical Turn-Off Delay Time 23 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns Verlustleistung max. 80W
Artikelpreis: 1.50 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRF3710 57A 100V N-Ch. MOSFET TO220 (14607)
Eigenschaften Anzahl Elements per Chip 1 Channel Mode Verbesserung Channel Typ N Kategorie Leistungs-MOSFET Konfiguration Einfach Maximum Betriebstemperatur 175°C Maximum Continuous Drain Strom 57A Maximum Drain Source Spannung 100V Maximum Drain Source Widerstand 0.023Ω Maximum Gate Source Spannung ±20V Minimum Operating Temperatur -55°C Mounting Durchsteckmontage Product Height 8.77 Product Length 10.54 Product Width 4.69 Supplier Package TO-220AB Typische Fall Time 47ns Typische Rise Time 58ns Typische Turn-Off Delay Time 45ns Typische Turn-On Delay Time 12ns
Artikelpreis: 1.79 €
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IRF9530N P-Ch 100V 14A 79W 0,2R TO220 (20683)
Transistor-Typ P-MOSFET Technologie HEXFET® Polarisierung unipolar Drain-Source Spannung -100V Drainstrom -14A Verlustleistung 79W Gehäuse TO220AB Gate-Source Spannung ±20V Widerstand im Leitungszustand 0.2? Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
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IRF9Z24N P-Ch 55V 12A 45W 0,175R TO220 (16950)
Eigenschaften Anzahl der Elemente pro Chip 1 Betriebstemperatur max. +175 '°C Betriebstemperatur min. -55°C Channel Mode Enhancement Channel-Typ P Dauer-Drainstrom max. 12 A Drain-Source-Spannung max. 55 V Drain-Source-Widerstand max. 0,175 Ω Eingangskapazität typ. @ Vds 350 pF V @ 25 Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC V @ 10 Gate-Source Spannung max. ±20 V Gehäusegröße TO-220AB Höhe 8.77mm Kategorie Leistungs-MOSFET Konfiguration Single Montage-Typ Durchsteckmontage Pinanzahl 3 Typical Turn-Off Delay Time 23 ns Typical Turn-On Delay Time 13 ns Verlustleistung max. 45 W
Artikelpreis: 1.95 €
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IRF540 N-Ch 100V 28A 150W 0,077R TO220 (17591)
Gehäusetyp: TO-220AB Polarität: N-Kanal Anschlussart: Durchsteckmontage Max. Betriebsspannung: 100 V Leistungsaufnahme: 100 W Max. Stromstärke: 28 A Max. Temperatur: 175 °C
Artikelpreis: 1.95 €
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IRF1404 PBF N-Ch. 162A 40V 200W 0,004R TO220AB (19915)
Transistor-Typ N-MOSFET Technologie HEXFET® Polarisierung unipolar Drain-Source Spannung 40V Drainstrom 162A Leistung 200W Gehäuse TO220AB Gate-Source Spannung ±20V Widerstand im Leitungszustand 4m? Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
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IRLD024 N-Ch. 60V 1,8A 1,3W 0,14R DIP4 (19668)
Transistor-Typ N-MOSFET Polarisierung unipolar Drain-Source Spannung 60V Drainstrom 1.8A Leistung 1.3W Gehäuse DIP4 Gate-Source Spannung ±10V Widerstand im Leitungszustand 0.14? Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
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IRF640N N-Ch 200V 18A 150W 0,15R TO220AB (19804)
Transistor-Typ N-MOSFET Polarisierung unipolar Drain-Source Spannung 200V Drainstrom 18A Leistung 150W Gehäuse TO220AB Gate-Source Spannung ±20V Widerstand im Leitungszustand 150m? Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRFZ44 PBF N-Ch 60V 50A 150W 0,028R TO220AB (20198)
Transistor-Typ N-MOSFET Polarisierung unipolar Drain-Source Spannung 60V Drainstrom 50A Verlustleistung 150W Gehäuse TO220AB Gate-Source Spannung ±20V Widerstand im Leitungszustand 0.028? Montage THT
Artikelpreis: 1.95 €
inkl. MwSt. zzgl Versandkosten
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IRFZ44N PBF N-Ch 55V 49A 94W 0,0175R TO220AB (13610)
Eigenschaften Anzahl Elements per Chip 1 Channel Mode Verbesserung Channel Typ N Kategorie Leistungs-MOSFET Konfiguration Einfach Maximum Betriebstemperatur 175°C Maximum Continuous Drain Strom 49A Maximum Drain Source Spannung 55V Maximum Drain Source Widerstand 0.0175Ω Maximum Gate Source Spannung ±20V Minimum Operating Temperatur -55°C Mounting Durchsteckmontage Product Height 8.77 Product Length 10.54 Product Width 4.69 Supplier Package TO-220AB Typische Fall Time 45ns Typische Rise Time 60ns Typische Turn-Off Delay Time 44ns Typische Turn-On Delay Time 12ns
Artikelpreis: 1.95 €
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